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如何保护芯片免受静电的损害
更新时间:2021-11-25

  对于今天的电子产品,我们应该通过在集成电路中设计坚固的ESD结构来覆盖所有ESD基板,但大多数情况下,工程师都默认器件是安全合规的,很少考虑ESD保护。

  ESD(Electro-Static discharge)的意思是“静电释放”。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此,国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD,中文名称为静电阻抗器。静电放电或ESD的定义是在不同静电电位下的静电电荷在物体或表面之间的转移。放电会在短时间内释放超高压,在1至100纳秒(ns)的千伏(kV)范围内。可以想象,对于这些类型的电压和时间单位,ESD事件具有快速边沿。当发生这样的事件时,静电荷快速转移会造成可见或不可见的火花。

  ESD通常只有敏感的电子设备才能检测到,通过触摸没有ESD保护的设备,个人很可能在不知不觉中对器件造成破坏性的损坏。在高度充电的ESD环境中,其封装内的ESD保护硅芯片将被破坏(如图1)。

  图1.芯片ESD损坏的放大示例,显示金属迹线消失,钝化破裂和一种热迁移。 (来源:Maxim Integrated,应用笔记639)在图1中,芯片发生ESD事件,所造成的损害是灾难性的,具有蒸发的金属痕迹,受损的钝化区域以及可能的电热迁移软错误。从技术上讲,如果电路仍然可以工作,软错误(例如规格降级)可能会在以后出现。这种类型的损坏最容易在封装过程中或在芯片组装到PCB之前发生。IC的内部ESD保护电路在预装配处理和装配操作期间为芯片提供了一些保护。在这种环境中,低阻抗接地路径用作放电路径。在封测环境中,低阻抗接地路径的实现包括腕带,接地地板,接地桌面和ESD电离器。一旦IC安装在PCB中并与其他组件互连,这种受保护的环境就会大大降低。需要通过适当的ESD控制和预防,减少ESD损坏。人们经常在与周围环境相互作用时产生静电火花,这些静电会破坏芯片原本的特性,此类事故每年都会造成数十亿美元的损失。在选择最终产品之前,请务必遵循实验室中的良好ESD预防措施,并查看产品数据表中的ESD保护规范。

  91mobiles 和 OnLeaks 此前曝光了Pixel 6a 渲染图,看起来和 Pixel 6 系列的外观类似,消息称其拥有6.2 英寸屏幕,比 Pixel 6 系列要更小。近日,9To5Google 通过 APK 解包发现了 Pixel 6a 的配置信息,确认该手机的存在,将搭载Pixel 6/Pro 同款 TensorGS101 芯片。镜头配置方面,谷歌 Pixel 6a 将配备 3 个摄像头,2 个后置和 1 个前置:12.2 MP IMX363 主摄(与 Pixel 5a 相同)12 MP IMX386 超广角

  11月24日,据中兴通讯公众号显示,2021年11月23日,中兴通讯与航盛电子在深圳签署战略合作框架协议,双方将在基础软件,车规芯片,智能网联和自动驾驶等领域展开深入合作。中兴通讯董事长李自学,中兴通讯副总裁、汽车电子产品线总经理古永承,和航盛集团董事长杨洪,航盛集团副总裁、首席技术官尹玉涛等出席签约仪式。按照规划,中兴通讯与航盛电子将合力推动汽车操作系统、车规级芯片的自主核心能力建设。同时,将在4G/5G-V2X模组及产品级解决方案领域开展合作,逐步建立自主可控的智能网联生态合作关系,共同打造智能网联应用场景下高性能、国产化的创新产品及解决方案。双方也将围绕高性能智慧座舱方案、智能驾驶方案等课题持续探索与合作,旨在为用户提供

  集成电路制造工艺正不断接近物理极限,摩尔定律面临失效危机,如何在后摩尔时代再续辉煌?一种架构创新技术-SDH(Software Defined Hardware, 软件定义硬件)可重构处理技术浮出水面。与目前业界惯用的处理器设计架构不同, SDH可重构处理技术兼具灵活性与高效性,尤其适用于对计算性能有着极高要求的芯片领域,SDH技术有望打开数据处理芯片设计的新思路,或成为最有希望突破摩尔定律的架构创新技术。后摩尔时代,SDH架构创新技术异军突起按照摩尔定律,集成电路上的晶体管数目大约每经过24个月就会增加一倍。换句话说,处理器的性能每隔两年翻一倍,带来的经济效益也有目共睹。但随着工艺制程与集成度的不断提升,晶体管尺寸渐近物理极限

  的新赛道 /

  美国媒体22日报道,韩国三星电子公司计划在美国得克萨斯州泰勒市建芯片工厂,预计投资大约170亿美元。《华尔街日报》援引消息人士的话报道,上述消息可能最早于23日宣布。得州州长定于当地时间23日傍晚宣布一项“经济方面”的消息。报道说,预期在泰勒市新建的芯片工厂将创造大约1800个工作岗位。不过,这家工厂预计2024年年底才投产。为吸引三星投资建厂,泰勒市开出非常优厚的条件,优惠力度相当于头十年房产税减免多达92.5%。作为全球营收最多的芯片制造商,三星电子计划今后3年投资超过2050亿美元,其中芯片制造是重中之重。韩联社21日报道,三星电子副会长李在镕正在美国考察,19日与美国白宫高层会面,讨论美国政府为半导体企业提供优惠条件的方案

  厂,对标台积电美国工厂 /

  在芯片短缺问题发展一段时间后,车用芯片行业正在呈现2个新的发展趋势,一是产能将增加,二是芯片向集成化发展。主流芯片制造商均大幅扩充产能,总体供应能力将明显提升德州仪器计划新建4座半导体工厂11月17日,德州仪器宣布将投资300亿美元在美国新建4座半导体工厂,其中将在2022年启动2座工厂的建设,主要生产300毫米晶圆,用于汽车、卡车、工业机械等行业,第一座工厂预计2025年投产。300毫米晶圆基于大尺寸可以有效提升产能,目前德州仪器的300毫米晶圆制造厂还有德州达拉斯DMOS6,德州理查森的RFAB1、RFAB2和犹他州李海的LFAB,其中,RFAB2将于2022年下半年开始投产,LFAB预计于2023年初投产的。瑞萨计划2023

  正呈现2个新发展趋势 /

  据《华尔街日报》11月22日报道,知情人士透露称,三星电子将选择在美国得克萨斯州的泰勒市投资约170亿美元建造芯片工厂。据悉,得州州长格雷格·阿博特预计将在当地时间周二的活动上宣布这一消息。为何三星电子选择前往美国建厂,这或许要从2021年9月,美国政府以“芯片短缺,解决芯片短缺这一难题”为由召开了全球芯片业峰会谈起。会议上,美国商务部长雷蒙多指出,美国需要更多的关于芯片工业链的信息,来更好地确定造成芯片短缺的问题。因此美国需要各国企业配合,交出相关数据。就在11月9日,韩国三星电子和SK海力士向美国政府交出了其要求提交的芯片相关的商业数据。不过出于诸多因素的考量,韩企宣称并未向美国提交客户资料等敏感信息。而交出相关商业数据不算

  工厂 /

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